STD系列 IGBT突波吸收电容
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术,使电容具低感抗,多条引线设计,可承受更高纹波电流,高du/dv以及高过压能力。
用于各类IGBT缓冲线路突波吸收,各类高频谐振线路
电容量:0.0047 to 6.8μF, 参考表格数据
额定电压:700 to 3000 Vdc