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<P> 三菱电机将携同最新推出的第四代DIP-IPM(双列直插型智能功率模块)、第五代智能功率模块L1系列IPM以及多种系列的第五代IGBT模块,在3月18至20日于上海新国际博览中心举行之2008慕尼黑上海电子展(展位5102)上,为不同领域的客户提供与其相应的应用解决方案。</P> <P> 三菱电机常务执行董事、半导体事业本部总经理长山安治先生此次特别从日本赶来参加展会,他指出:“日前中国市场发展迅猛,作为全世界最大的电子市场,三菱电机十分重视在中国的发展。我们将致力引入领先的技术及适合不同领域的优秀解决方案,协助客户面对越来越激烈的市场竞争。”</P> <P> 三菱电机作为业界的先驱,早在1997年就开发了用于白色家电和工业用电机的变频驱动的DIP-IPM。2004年以来,DIP-IPM模块的开发致力于小型化、低热阻化以及完全无铅化,并已开发出第四代DIP-IPM产品。如今,为提高DIP-IPM的性价比,增加了新开发的搭载RC-IGBT硅片的额定电流为3A的DIP-IPM,从而使第四代DIP-IPM系列产品更加丰富,为白色家电等变频基板的小型化做出贡献。</P> <P> 三菱电机日前新推出第五代L1系列智能功率模块,其将硅片温度传感器设置在IGBT硅片正中央处,实现了更加精确迅速的硅片温度检测。该系列IPM采用全栅型CSTBTTM硅片技术,具有比L系列IPM更低的损耗以及更加优化的VCE与Eoff折衷曲线。L1系列智能功率模块主端子有针脚型和螺丝型两种形式,同样电流电压等级的L1系列IPM与L系列IPM的封装完全兼容。此外,L1系列IPM还首次开发了25A/1200V和50A/600V的小封装产品以满足客户节约成本的需求。</P> <P> 三菱电机采用最新开发的载流子存储式沟槽型双极晶体管(Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor,CSTBTTM)功率硅片,实现了第五代IGBT模块的产品化,其具有低损耗、低饱和压降、高功率循环和寿命长等优点。分别针对不同应用开发了A、 NF、 NFM、NFH和NX系列。</P> <P> 三菱电机在展会期间,还设有现场滚动讲座讲解各技术方案及其应用。</P>