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<P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2009/200906/20090625105934109.jpg" border=0></P> <P><STRONG> Q1：请问与国际上其他品牌的类似产品相比，Infineon的600V C6在各方面有何区别？</STRONG></P> <P> 答：首先，在单位封装方面，以T220封装为例，其他品牌类似产品的导通电阻大约是380毫欧，比我们高好几倍，而我们C6现在做到最好的是99毫欧。如果他们为实现同样的导通电阻需要应用TO-247封装，成本将会贵许多。众所周知，在半导体的成本中，封装是很关键的问题。我们在TO-247封装方面能做到最好的45毫欧，而其他品牌不能做到这么低，这也是我们的区别之一。</P> <P> 其次，在电源工作频率方面，我们的MOSFET开关频率可以提高到250kHz~400kHz。如果用其他品牌的超级结结构的MOS，会产生大的损耗，很难去实现。但如果采用CoolMOS，可以实现频率超过250kHz。当然开关频率越高，损耗越高，例如超过450k以上，就要采用零电流，零电压等软开关架构，我们就可以配合二极管去做。</P> <P> <STRONG>Q2：这个开关是否不再需要采用谐振的电源架构？</STRONG></P> <P> 答：准谐振要求不能太高，如果是二三百瓦就不推荐了。当输出功率越高，电流就越大，导通损耗则越高。如果没有一个低导通电阻的MOS，导通损耗会很大。而CoolMOS的导通电阻很低，可以降低导通损耗。另外CoolMOS里面的输出电容很低，该参数是影响开关损耗最大的因素。如果输出电容量低，累计损耗就低。采用谐振的设计，也需要通过对输出电容进行通电放电，也会产生一定的损耗。因此，如果是用传统的MOS进行设计，损耗会很高。</P> <P> <STRONG> Q3：输出电容对电路本身有影响，那输出电容降低之后是否对线路性能也有影响？</STRONG></P> <P> 答：将输出电容降低不会影响电路的性能。但开关频率提高，输出电容会和PCB寄生的电感等参数会产生谐振，会产生些尖峰。工程师应该关注这一点，不管提高还是降低，都需要知道寄生参数的影响。所以，在做PCB布板的时候，需要了解如何将其优化。如果没有这些配合，不可能把开关频率提高。仅仅改变参数，是不会对电路产生影响的。</P> <P><STRONG> Q4：C6的开关频率是多少？</STRONG></P> <P> 答：开关频率由用户自行设定。MOS的开关频率是从PWM来确定的，100k、150k或200k都可以。</P> <P> <STRONG>Q5：如果频率到了100k以上，那总体损耗是否由开关损耗来决定？是否可以说总体损耗还是由最大的开关频率来决定？导通损耗存在多少？</STRONG></P> <P> 答：工程师选多大的开关频率去做设计主要基于以下几点：成本、效率和大小。只要将开关频率提高，诸如电容等被动器件的体积就可以变小。但导通损耗一定会存在，永远是越低越好。对于功率半导体来说，导通电阻和寄生电容是成反比的，一个高，另一个势必就低，但我们可以将两者达到一个优化点。</P> <P> 英飞凌的方向是在降低导通损耗的同时又降低开关损耗.我们提倡的FOM参数也就是体现我们的方向。</P> <P> 导通电阻越小的开关管,由越多的MOS胞元并成,寄生出来的电容也就越多,也就会增加越多的开关损耗.这就要工程师在开关损耗与导通损耗间找个平衡点.</P> <P><STRONG> Q6：以开关损耗为主时，该器件的总体损耗会高出很多吗？</STRONG></P> <P> 答：由于寄生参数变低，就会降低其开关损耗。每一次充电放电的能量损耗和每一个开关的损耗都会降低。但如果你将开关频率继续提高，还是要考虑很多方法去控制其损耗。</P> <P><STRONG> Q7：C6比C3价格更便宜，如何降低C6的产品成本？</STRONG></P> <P> 答：C6的推出将会取代我们最流行的C3。为了与竞争对手相抗衡，我们就应该降低产品成本，所以我们需要推出新的系列。为了避免被淘汰，我们也必须要朝着降低成本的方向进行，C3已经没有降价的空间，所以我们才推出了C6。</P> <P> 成本主要来自晶元的大小, CoolMOS C6采用的是新科技, 让里面的晶体变的更小, 并采取新的封装技术降低成本。</P> <P><STRONG> Q8：C6与C3有很大的关联性，那C6可以取代C3吗？是否有C4和C5两种产品？</STRONG></P> <P> 答：可以。没有C4，因为4在中文里有不好的寓意。至于C5，我们已经将其命名为CP。CP的开关损耗是最低的，比C6还低，所以C6不能代替CP。CP更适合在更高效的电源产品中。</P> <P><STRONG> Q10：CFD是900V还是600V？除了用在服务器等设备，C6和CP还应用在哪些领域？</STRONG></P> <P> 答：是600V。它是带体内快恢复二极管的,适合于例如桥式电路等零电压或零电流软开关场合.<BR>C6和CP还可应用在太阳能、电脑电源、LCD和绿色照明等各个方面。对于超级结结构的MOS在3-5W的手机充电器领域的价格不占优,CoolMOS亦如此。</P> <P> Q12：C6主要应用在哪些方面？高端还是低端产品？它能应用在Eeepc上面吗？</P> <P> 答：既然C6将要代替C3，而C3已经几乎运用在所有的产品上，所以C6没有任何倾向性，它几乎可以应用在所有的电源上面，包括Eeepc。</P> <P><STRONG> Q13：在多少瓦的时候，C6可以达到最高的性能成本比？</STRONG></P> <P> 答：没有这样一个确切的点，其实我们考虑最多的还是成本。我们将给工程师提供很多选择，而不是随意定下方案怎么做。我们更多会依据市场和用户的需求来定。毕竟无论做多大的功率，只要价格没有竞争力，厂商都不会做。</P> <P><STRONG> Q14：竞争对手是否有类似于C6的产品？</STRONG></P> <P> 答：有，但我们是领导地位。英飞凌从上世纪90年代就开始做了，客户很信赖我们的产品。现在我们已经做到了第五代，比竞争对手要先进。我们曾经发现过的问题，他们一定会重复。我们之所以开始研发C6是因为C3的发展空间不大，需要一个更先进的产品来代替它。</P> <P><STRONG> Q15：C6的价格策略如何？你们将如何定价？</STRONG></P> <P> 答：我们基于成本和性能的考虑来研发C6。C6比C3便宜，是市场所决定的。</P> <P><STRONG> Q16：尺寸和功率往往成正比，请问英飞凌如何平衡两者的关系？</STRONG></P> <P> 答：要做到小晶元，我们通过做到降低损耗来达到平衡。如果损耗跟之前一样，那是没有竞争力的。按参数来说，晶元改变就会引起很多改变。晶元小，ID一定会小，这是物理现象，但是ID小不影响设计。因为ID只是一个计算结果值。■</P>