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应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN) 扩充N沟道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值
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<P> 应用于绿色<A href="http://www.cps800.com/news/21462.htm">电子产品</A>的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN) 扩充N沟道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值,非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。 </P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2010/201002/20100202173526979.jpg" border=0></P> <P> <A href="http://www.cps800.com/news/21826.htm">安森美半导体</A>这些100 V功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(UPS)中的电源逆变器,以及汽车中的直接燃气喷射(DGI)。这些无铅器件,符合RoHS指令,关键的规范特性包括: </P> <P> 1.导通阻抗(RDS(on))低至13毫欧(mΩ) </P> <P> 2.电流能力高达76安培(A) </P> <P> 3.经过100%雪崩测试 </P> <P> 4.通过AEC-Q101标准认证 </P> <P> 安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“为了应对开关电感型负载时潜在的大电压尖峰,以及推动更高能效,安森美半导体的N沟道功率MOSFET提供强固及可靠的方案。我们100 V产品系列新增的器件为客户提供更多的选择,帮助他们获得适合他们特定应用的最优器件。” </P> <P> <STRONG>封装及价格</STRONG> </P> <P> NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN,采用无铅及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封装。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL,采用无铅及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封装。所有这些器件的工作温度范围为-55°C至+175°C。这些MOSFET每10,000片批量的价格为0.92至1.90美元。现提供样品。■</P>