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1200V增强型碳化硅纵向结型场效应晶体管功率模块

作者:李兴鲁 查祎英 胡冬青 译   上传时间:2012/1/3 15:40:26
摘要:最近的模块研发工作已经生产出封装在SP1模组中的快速开关,1200V、13mΩ、增强型SiC JFET半桥模块。这些模块由36mm2 SiC VJFET和23mm2肖特基管的并联组合而成。在ID=100A条件下,获得2.7mΩ-cm2的比导通电阻。开关测试采用了标准的双脉冲感性负载电路,在600V、100 A、温度分别为25℃和150℃的条件下,得到了历史最低的总开关损耗——100A、150℃下为1.25mJ。本文详细介绍测试的开关性能、所采用的栅极驱动电路,以及获得这些结果推荐使用的缓冲器。
叙词:模块 SiC 栅极驱动 开关损耗 缓冲器
Abstract: Latest module research has made possible the production of fast switch that packed in SP1 module suit, an enhanced SiC JFET half-bridge module with 1200V and 13m. The modules are parallel-connected with 36mm2 SiC VJFET and 23mm2 SBD. Under ID=100A, it achieves the specific on-resistance 2.7m-cm2. Standard dual-pulse inductive load circuit is applied to test the switch. Under the condition of 600V, 100A, with temperature respectively being 25 and 150, it achieves record-lowest general switch loss: with 100A, and 150, it is 1.25mJ. The article introduces in detail the function of the switch, the grid drive circuit applied, and the bumper recommended to achieve the rusults.
Keyword:Module, SiC, Grid drive, Switch loss, Bumper
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--本文摘自《电源世界》,已被阅读8521
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