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具有高温工作能力的1700V SPT+ IGBT和二极管芯片组

摘要：本文介绍一种新研制的，具有优化高温工作能力的1700V IGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计，改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT（SPT+）性能。通过局部质子寿命控制层的引入，150℃下二极管的漏电流已显著减小，同时保留了与先前SPT（软穿通）二极管工艺平台相同的电学特性。上述所有特征有望使额定值在3600A 、工作在-40℃到150℃结温变化范围内的1700V 模块研制成为可能。这种模块将具有低损耗和高安全工作区（SOA）。高于175℃工作温度方向的拓展，将在以后介绍。 叙词：芯片组 高温 低损耗 高安全工作区 Abstract：This paper introduces a new 1700V SPT+IGBT and Diode Chip Set with High Temperature Operation Capability. Thanks to the introduction of new terminal concept and silicon design, the performance of the new-generation panar cascade by ABB company has been improved. By the introduction of partial proton duration control layer, the leakage current of diode under 150 has been lessened, while in the meantime, the elctric features of the previous SPT diode technological platform still remain. All the features make it possible for the research of 1700V module, which has a temperature rage of -40 and 150 and a rating of 3600A. The module will enjoy low loss and high SOA. The extension toward the function temperature high than 175 will be introduced in the future. Keyword：Chip set, High temperature, Loss Loss, High SOA

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