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用于未来轨道牵引电路的双SiC MOSFET 模块的特性检测

摘要：硅IGBT 已经广泛用于轨道牵引变频器，不久的将来，碳化硅(SiC) 技术将在3 个方向上进一步扩展开关器件的极限：更高的阻断电压、更高的工作温度和更高的开关速度。如今，第一批SiC MOSFET 模块已经有效的投向市场，并且很有希望。虽然目前在阻断电压方面仍有待提高，但这些宽禁带器件将大大改善牵引电路的效率，尤其是在开关损耗上预期会有显著的降低，从而导致功率- 重量比的大幅改善。 叙词：IGBT，SiC，MOSFET，模块，开关损耗，轨道牵引变频器 Keyword：IGBT, SiC MOSFET, Module, Switch loss, Rail traction transducer

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