我要找:   
综述| 设计分析| 通信电源| 电力电源| 不间断电源| 逆变电源| 交流稳定电源| 工业特种电源| 蓄电池| 电能质量管理| 元器件| 电磁兼容| LED| 控制 驱动 保护| 人物企业访谈| 开关电源技术| 电子变压器| 电力电子新技术| 新能源| 标准介绍| 应用分析| 谐波治理| 技术研究 仿真技术| 其他|
您的位置:电源在线首页>>技术文摘>>设计分析>>开关电源MOSFET漏源极电压电磁干扰的仿真分析正文

开关电源MOSFET漏源极电压电磁干扰的仿真分析

作者:马计强  张东来  马计刚   上传时间:2006/7/26 10:52:16
摘要:本文研究了开关电源中MOSFET漏源极电压电磁干扰的频谱特性,通过提取MOSFET漏源极时域电压信号的特征参数,对其波形进行了仿真,分析了该信号电磁干扰的频谱特点,并分别研究了信号中各参数对频谱的影响,Matlab仿真表明该研究结果对解决电磁干扰问题具有很好的参考和利用价值。
叙词:电磁干扰,干扰源,Matlab
Abstract:This paper studies the spectrum characteristics of MOSFET Drain-Source voltage of switch power supply. Simulate the waveform of the voltage through extracting the characteristic parameters of the time-domain voltage signal for MOSFET drain-source. Analysis the spectrum characteristics for EMI of the signal and separately researches the effect to spectrum of the parameters in the voltage signal. Matlab simulating shows that research results are very referable and useful to solve the EMI problems.
Keyword:EMI, Source, Matlab
用户名:  密码:    免费注册电源在线会员,获取本站更多服务!
说明:本站会员正确输入用户名和密码进行登录系统后才能查看文章详细内容和参与评论。
--本文摘自《电源世界》,已被阅读6194
   免责声明:本文仅代表作者个人观点,与电源在线网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。
投稿热线  :0755-82905460  邮箱  :news@cps800.com
关于本文的网友评论:
本文暂时还没有网友发表评论信息!
我要发表评论:
用户名:  密码:  
敬请注意:
·尊重网上道德,遵守中华人民共和国各项有关法律、法规
·遵守《全国人大常委会关于维护互联网安全的决定》及《互联网电子公告服务管理规定》
·承担一切因您的行为而直接或间接导致的民事或刑事法律责任
·电源世界网网站管理人员有权保留或删除留言中的任意内容
·您在本网站相关栏目发表的评论信息,本网站有权在网站内转载或引用
·不要重复发布评论信息,评论内容不能超过200个字符
·参与本评论即表明您已经阅读并接受上述条款
关键字:
关闭