Cree在2007年6月14～15日“日经电子”和“日经微器件”共同举办的“LED技术研讨会2007”上，介绍了SiC底板上形成的蓝色LED的开发状况。

　　关于蓝色LED的光输出功率，Cree预测表示，输入电流为20mA的产品方面，最大的光输出功率07年7月将达36mW、08年7月将达40mW、09年7月将提高到44mW。输入电流为350mA的产品方面，最大光输出效率07年1月为340mW，预计08年1月将达420mW、09年1月将为400mW（以上？）、09年10月将达到550mW，一路提高下去。与荧光材料组合而成的白色LED方面，目前量产产品的发光效率为80lm/W，开发产品则达到了120lm/W。09年量产产品将实现发光效率120lm/W。

　　Cree公司展示了开发中的蓝色LED芯片的结构。它在SiC底板上使GaN发生外延生长（Epitaxial Growth）。芯片结构为，不采用下部电极而从表面实现正负极连接的2线焊（Wire Bonding）连接倒装芯片（Flip Chip）结构。由于没有下部电极，所以发光层发出的光在GaN层内不再发生反复反射，与此前的芯片结构相比，将光取出芯片外的效率（光取出效率）将会提高。