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Rambus半导体赢得对海力士专利权官司的胜利
新闻ID号:  15248 无标题图片
资讯类型:  企业动态
所属类别:  其他应用分类
关 键 字:  半导体/Rambus/海力士/专利权/侵权官司
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发布时间:  2008/4/1 8:56:21
更新时间:  2008/4/1 8:56:21
审核情况:  已审核开通[2008/4/1 8:56:21]
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新闻来源:  半导体国际
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责任编辑:  coco
发 布 者:  电源在线
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内    容:

    日前半导体业者Rambus赢得对海力士(Hynix)专利权官司最后阶段的胜利。据悉,陪审团在经过近4个小时的讨论后,决定不采信海力士、美光(Micron)及南亚科的证词,Rambus此番法庭战胜诉,也为未来向海力士、南亚科、美光求偿铺路。

    据报导,该案案件系由位于加州圣荷西的联邦地区法院接受审理,包括南亚科、美光以及海力士指控Ra
mbus在1990年代时,以欺瞒误导Jedec进行DRAM标准的制订,其后又向DRAM业者要求授权金,DRAM业者则主张Rambus不应获准行使后来成为业界标准的DRAM专利权。

    该案的判决结束了长达7年来,Rambus与海力士之间的侵权官司,陪审团也允许Rambus得以向海力士收取逾1亿美元的赔偿金,也让Rambus得以提出禁止海力士在美国销售的命令,并可以继续向美光、南亚科、三星电子(Samsung Electronics)提出侵权控诉。