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英飞凌携最新MOSFET器件出席国际电源展
新闻ID号:  16221 无标题图片
资讯类型:  企业动态
所属类别:  功率器件
关 键 字:  英飞凌/国际电源展/
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发布时间:  2008/5/26 14:11:03
更新时间:  2009/6/19 14:44:43
审核情况:  已审核开通[2008/5/26 14:11:03]
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责任编辑:  ronvy
发 布 者:  电源在线
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    5月23-25日,第十四届中国国际电源展暨电子变压器展在深圳会展中心盛大召开,展会上英飞凌推出具全球最低通态电阻、采用SSO8无铅封装的全新OptiMOS 3系列N沟道MOSFET模块,该系列模块的应用可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%。

第十四届国际电源展英飞凌展台
国际电源展上的英飞凌展台

    英飞凌科技奥地利有限公司全球开关电源高级市场经理Thomas Schmidt先生介绍,使用OptiMOS 3系列产品可将使用前一代产品的电源设备能源效率提高1%。这种提升幅度看似不大,但目前PC电源的能效已经达到85%以上,服务器电源的能效更是高达89%,如此高的能效基础使得任何一点细微的提升都异常艰难。虽然只有1%,但如果全球1,200W服务器供电系统的能效都提高1%,全年即可节省约360兆瓦的电量,相当于一个传统发电厂的发电量。

英飞凌科技奥地利有限公司全球开关电源高级市场经理Thomas Schmidt先生
英飞凌科技奥地利有限公司全球开关电源高级市场经理Thomas Schmidt先生

    “作为全球功率半导体领域的技术领袖,英飞凌引领超小封装潮流,使通态电阻降低高达50%。”英飞凌电源管理与驱动产品事业部负责人Gerhard Wolf指出,“我们利用在功率半导体制造和封装方面的领先技术,使功率半导体具备一流的效率和开关特性、更高的功率密度以及出色的性价比,从而大大降低系统成本。”