三垦电气实际演示了配备该公司试制的GaN元器件的电源电路。与利用原来的Si元器件时相比，功率转换效率有所提高。实际演示有由功率因数校正电路（PFC）和DC-DC转换器构成的开关电源，以及逆变器电路2种。

　　在电源方面，通过将PFC中的Si制快恢复二极管（FRD）及MOSFET更换为GaN制肖特基势垒二极管（SBD）及常关型（Normally-Off Type)FET，功率转换效率“提高了2～4个百分点”。在演示中，将利用Si器件和GaN器件的开关电源的输出功率设定为相同程度，根据输入功率的不同，比较了两种开关电源的功率转换效率。尽管输出电压同为约24V，输出电流同为约4.1A的约100W输出功率，但利用GaN元器件时，输入功率只有约124W，小于利用Si元器件时的约 129W。

　　在逆变器电路的演示中，驱动了三相交流马达。逆变器电路利用的模块内置了6枚集SBD和常关型FET于1身的GaN元器件芯片。与利用Si制FRD及IGBT构成逆变器电路时相比，功率转换效率“提高了近1个百分点”