罗姆试制出使用GaN底板的常闭型纵向结构GaN类MOSFET，并进行了动作演示。其特点是“阈值电压为+2.8V，正合适”。

　　阈值电压越低，就越容易在低电压下导通。不过，如果阈值太低，有时就会在噪声影响下无意识地导通。“HEMT结构的常闭型GaN类晶体管，其阈值电压只有+1V左右”。因此，此次将阈值电压提高到+2.8V，与现有的Si材料功率MOSFET相同。这一数值是通过改进外延生长法和栅极氧化膜制作法实现的。

　　栅极电压为10V时，试制品的导通电阻为20mΩcm2。今后计划进一步降低导通电阻。解说员自信地说“有望降至1mΩcm2”。还将提高耐压，“将依次提高600V、900V”