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| 新闻ID号： |
2335 |
无标题图片 |
| 资讯类型： |
行业要闻 |
| 所属类别： |
元器件 其他 |
| 关 键 字： |
～ |
| 内容描述： |
～ |
| 发布时间： |
2005/7/4 10:20:11 |
| 更新时间： |
2005/7/4 10:20:11 |
| 审核情况： |
已审核开通[2005/7/4 10:20:11] |
| 浏览次数： |
共 1297 人/次 |
| 新闻来源： |
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| 责任编辑： |
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| 发 布 者： |
电源在线 |
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| 内 容： |
英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)推出业界首个双数据速率3 (DDR3)器件。这些新推出的DDR3器件的数据传输速率高达1,067Mbps。由于它们采用了DDR3平台，因此可获得非常好的信号。DDR3的电源电压从DDR2的1.8V降为1.5V，从而改善了低功率下的性能，降低了器件电压有利于限制功耗，降低散热，适合电池供电产品使用。
市场研究公司iSuppli预测DDR3 DRAM将代替DDR2，从而成为2008年的主流产品。据iSuppli预测，DRR3市场将拥有55%份额。DDR3也将成为下一个高速低功率存储器的标准，可用于服务器、台式机和笔记本电脑。DDR3可满足未来移动产品、数字家庭和企业产品的需求。
英飞凌将与Nanya技术公司合作开发首个DDR3用户样品，预计将于2006年下半年推出。2006年末将开始批量生产，具有时间取决于相关机器平台。 |
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