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英特尔30亿在美建晶圆厂
新闻ID号:  2639 无标题图片
资讯类型:  行业要闻
所属类别:  元器件 其他
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发布时间:  2005/7/27 9:40:01
更新时间:  2005/7/27 9:40:01
审核情况:  已审核开通[2005/7/27 9:40:01]
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发 布 者:  电源在线
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  据新华社洛杉矶7月25日电 世界最大的芯片生产商美国英特尔公司25日宣布投资30亿美元在美南部新建一座300mm晶圆厂,以进一步提高芯片产量和降低产品成本。
  
  英特尔公司在亚利桑那州新建的这座晶圆厂计划于2007年下半年投产,采用45纳米的工艺生产芯片。
  
  英特尔目前在爱尔兰和美国俄勒冈、新墨西哥州有4家300mm晶圆厂,第5家厂将于今年下半年在亚利桑那州投产。
  
  英特尔公司说,其4家300mm晶圆厂的产量相当于8个200mm晶圆厂的产量。采用300mm晶圆生产芯片,可在切割时产生较少的边角废料,提高晶圆的利用率,并可使每枚芯片的平均耗电和耗水减少40%,从而明显降低芯片的生产成本。
  
  晶圆由二氧化硅提炼制成,是生产信息产品、信息家电等各种半导体产品所需的材料。大尺寸的晶圆可安排的集成电路更多,但要求材料技术和生产技术则更高。