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英飞凌的低导通阻抗MOSFET开关速度高达150V/ns
新闻ID号:  2665 无标题图片
资讯类型:  行业要闻
所属类别:  元器件 其他
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发布时间:  2005/7/29 9:53:33
更新时间:  2005/7/29 9:53:33
审核情况:  已审核开通[2005/7/29 9:53:33]
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发 布 者:  电源在线
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  英飞凌(Infineon)公司的CoolMOS CS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限,其TO-220封装的导通阻抗为99mW,TO-247封装的导通阻抗为45mW,可承受600V电压。它们的开关速度为150V/ns,允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。

  为实现低阻抗,电荷加在器件上实现电流传导,然后加反极性的等量电荷平衡,两种电荷在器件上隔离,并提供很细的间距,以此保证获得较低的导通电阻。由于需要的栅极驱动功率低,因而可使用低功率栅极驱动器和IC。