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专家开发“脏硅”技术 生产廉价太阳能电池
新闻ID号:  3061 无标题图片
资讯类型:  行业要闻
所属类别:  电池及测试 其他
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发布时间:  2005/8/26 10:25:46
更新时间:  2005/8/26 10:25:46
审核情况:  已审核开通[2005/8/26 10:25:46]
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新闻来源:  计世网
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发 布 者:  电源在线
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  加州大学伯克利分校的研究人员日前宣布开发出一种基于“脏硅”(dirty silicon)的新技术,这项技术可以降低太阳能电池的成本。

  近90%的太阳能电池是由于精制的纯净硅生产的。使用这种更丰富、更廉价的硅――即含有金属杂质和存在缺陷的硅――的尝试一直没有取得成功,因为利用这种材料生产的太阳能电池不能运行。此外,用于消除杂质的制造技术费用高昂,抵消了使用廉价材料的成本优势。伯克利分校材料科学教授Weber说:“我们提出了一种利用脏硅的新方法。”Weber说:“我们不是清除杂质,而是留下它们,但是通过一种减少它们对太阳能电池不利影响的方式来利用它们。”

  研究人员说,他们的研究发现可以使更廉价的材料变废为宝,降低太阳能电池的成本。研究人员利用能够检测只有30纳米的金属簇的高敏感度同步加速器X光显微镜,分析了硅中的金属杂质对不同类型工艺的反应。研究人员发现,分布在硅材料不同位置上的纳米级缺陷限制了电子在失去能量前可以传播的平均距离。传播距离越长,材料的能量转换效率就越高。研究人员发现可以通过改变硅的冷却速度来控制金属杂质的分布。放慢冷却速度,金属杂质扩散形成大簇,从而改变了杂质分散的分布。