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全球最薄透明磁性半导体问世
新闻ID号:  4788 无标题图片
资讯类型:  行业要闻
所属类别:  元器件; 其他
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发布时间:  2005/12/31 9:48:29
更新时间:  2005/12/31 9:48:29
审核情况:  已审核开通[2005/12/31 9:48:29]
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发 布 者:  电源在线
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  日本物质材料研究机构(NIMS)现已开发出一种新型薄膜状透明磁性半导体(图1),如果采用多层结构,在紫外线到可见光区域具有很强的磁光效应(Magnetooptic Effect)。准备将其应用于使用波长不足500nm短波长光的大容量光通信和光信息处理元件。

  原料为光触媒TiO2 
  
  NIMS此次开发的半导体是通过在Ti1-δO2(即将业界知名的光触媒材料TiO2做成薄膜状)中添加Co和Fe磁性元素而制成的Ti0.8Co0.2O2和Ti0.6Fe0.4O2(以下以Ti0.8Co0.2O2为代表)。厚度约为1nm,“作为透明磁性材料,在迄今开发的材料中最薄”(NIMS物理研究所软化学研究小组主任研究员长田实)。将这种材料重叠10层后,结果对红外线至可视光(波长为280~380nm)区域的光线表现了很强的法拉第效应(Faraday Effect)及克尔效应(Kerr Effect)。 
  
  法拉第效应和克尔效应均为磁性体和光相互作用而表现出的一种磁光效应。前者是指通过磁性体的光线偏振面发生旋转的现象,现已应用于光纤通信使用的光隔离器(Optical Isolator)等领域。而克尔效应则是磁性体反射的光偏振面发生旋转的现象,现已应用于MO光盘的数据读取等用途。