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Zetex Semiconductors近日推出新型ZXTC2045E6器件，它与互补NPN和PNP晶体管集成在一个SOT236封装内，可满足电源设计中大功率MOSFET和IGBT所需的驱动要求。
Zetex亚洲副总裁林博文先生指出，在峰值脉冲电流高达5A的情况下，这款新型双极器件能加快栅极电容的充电和放电速度，从而提升效率。由于NPN和PNP器件的射极引脚互相分开，有助于设计人员自由选择独立的电阻值，更准确地控制栅极充电和放电周期。
这款双晶体管采用SOT236封装，占板面积只有9mm2，板外高度仅为1.3mm，有助于减少电路板尺寸，提高功率密度。器件的额定工作电压为40V，典型增益为300，适用于各种栅极驱动器电路。 |
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