Wolfspeed, A Cree Company 继续其在碳化硅（SiC）功率器件技术的创新，打包推出了业内首个 1700V SiC MOSFET，该产品提高优化表面贴装组合，以用于高压逆变电源系统辅助电源的商业使用。针对较高的阻断电压，设计工程师以全新的 SiC MOSFET 代替了额定较低的硅 MOSFET，提供了高效、简化的驱动器电路，降低了散热成本，从而降低了系统总成本。

    全新的 SMD 套装专为高电压 MOSFET 而设计，其占地面积小，且爬电距离较宽：漏极和源极之间 7 毫米。这通过 WolfspeedSiC 平面 MOS 技术的小尺寸和高阻断能力实现。该新套装还包括独立驱动源连接，其减少了栅极振铃，并提供了干净的栅极信号。

    Wolfspeed 电源 MOSFET 营销经理 Edgar Ayerbe 解释说：“我们全新的 1700V SiC MOSFET 为电力工程师提供了显著的设计优点，特别是反激式拓扑。由于碳化硅的转换损耗较低，装置可在极低的结温下运行。这可使客户直接将装置通过散热片安装在 PCB 上，这极大减少了制造成本，提高了系统的可靠性。与使用硅器件相比，该装置提供了更小、更轻便的电源，降低了系统成本。”

    新 1700V SiC MOSFET 预计用于高功率逆变器的辅助电源 — 如太阳能逆变器、马达驱动器、UPS 设备、风能转换器和牵引供电系统 — 通常使直流电压逆势下跌至操作系统逻辑、保护电路、显示器、网络接口和冷却风扇。它们还可用于三相电子仪表的电源供应，或需要高阻断电压和低电容的所有转换器应用。

    指定 C2M1000170J，全新的 1700V SiC MOSFET 具有大于 1800V 的雪崩额定值，以及 1Ω 的 RDS（开）。这些功能保证了反激式转换器电路的可靠性能，包括在嘈杂的电气环境中，如大功率逆变器中。通过单转换反激式拓扑 200V 至 1000V 输入电压的设计，1700V SiC MOSFET 简化了硅器件要求的复杂驱动和缓冲电路元件。<