宾夕法尼亚、MALVERN—2022年2月7日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET®MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低导通电阻，工作温度可达+175(C以及高连续漏极电流。节省空间的PowerPAK®8x8L封装采用无引线键合鸥翼引线结构消除机械应力，有助于提高板级可靠性。

　　SiJH600E和SiJH800E超低导通电阻—10 V下典型值分别为0.65 m(和1.22 m(—比同代PowerPAK SO-8封装器件分别降低54%和52%，从而减小了传导功耗，实现节能的效果。

　　为提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E连续漏极电流分别为373 A和288 A，封装占位面积比D2PAK封装减小60%，高度降低57%。为节省电路板空间，每款MOSFET还可以用来取代两个并联的PowerPAK SO-8器件。