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意法半导体将在功率MOSFET上采用双面散热封装
新闻ID号:  6490 无标题图片
资讯类型:  新品速递
所属类别:  元器件; 其他
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发布时间:  2006/5/26 10:26:18
更新时间:  2006/5/26 10:26:18
审核情况:  已审核开通[2006/5/26 10:26:18]
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发 布 者:  电源在线
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  意法半导体(STMicroelectronics)日前发表了采用可从封装上下两面散热的“PolarPAK”技术的功率MOSFET“STK850”和“STK800”。对于PolarPAK技术,已从美国威世科技公司(Vishay Intertechnology)获得授权。漏极电流分别为30A和20A。通过采用PolarPAK,与该公司相同封装面积的老产品相比,可处理2倍的电流。

  所设想的用途是通信设备和计算机等配备的开关电源。作为STK850来说,栅电压为10V、漏极电流为15A时,导通电阻最大仅有2.9mΩ。而STK800输入侧的静电电容为1380pF。栅极电荷量仅为13.4nC,主要面向非绝缘型降压式DC-DC转换器的控制FET。

  现已开始供应样品。每千个批量购买时的单价,STK800为1.2美元,STK850为1.6美元。外形尺寸均为5mm×6mm×0.8mm。