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安森美半导体和Nantero公司联合开发碳纳米管技术
新闻ID号:  6522 无标题图片
资讯类型:  企业动态
所属类别:  元器件; 其他
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发布时间:  2006/5/30 9:56:54
更新时间:  2006/7/8 14:22:40
审核情况:  已审核开通[2006/5/30 9:56:54]
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发 布 者:  电源在线
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  5月29日电,安森美半导体和Nantero公司宣布他们联手开发创新的半导体工艺技术,持续开展在CMOS晶圆制造中有效地集成碳纳米管。

  联合开发项目在安森美半导体美国俄勒冈州Gresham的制造厂区进行。该厂是最近从LSI Logic Corporation购买的,其制造能力可精确至130纳米(nm)节点,是与Nantero技术开发项目的理想之选。当安森美半导体在本月早期接手此厂区后,大体上聘用了该厂所有的员工,包括大多数内部工程团队。

  Nantero联合创办人兼首席执行官 Greg Schmergel说:“我们看到这联合项目的巨大潜力。Nantero和Gresham的工程团队成功地合作多年,我们期望与安森美半导体的携手合作,制造出世界首批采用碳纳米管的半导体器件。”

  Nantero采用的碳纳米管专利工艺与CMOS兼容,目前正在安森美半导体Gresham的半导体制造厂区进行开发。该厂是世界首个通过碳纳米管认证的晶圆厂。

  安森美半导体营运高级副总裁乔贝洱(Bill George)说:“安森美半导体能与Nantero合作,感到兴奋。Nantero在Gresham厂取得的技术成果令人印象深刻,我们期望双方的合作能在结合纳米管予CMOS工艺中开创更进一步的里程碑。”