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| 新闻ID号： |
6968 |
无标题图片 |
| 资讯类型： |
新品速递 |
| 所属类别： |
元器件； 其他 |
| 关 键 字： |
～ |
| 内容描述： |
～ |
| 发布时间： |
2006/7/4 9:49:31 |
| 更新时间： |
2006/7/4 9:49:31 |
| 审核情况： |
已审核开通[2006/7/4 9:49:31] |
| 浏览次数： |
共 1776 人/次 |
| 新闻来源： |
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| 责任编辑： |
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| 发 布 者： |
电源在线 |
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| 内 容： |
Zetex Semiconductors日前推出ZXM N/P 7系列沟道MOSFET，提供D类输出级所需的高效率、良好的散热效果及音频复制功能。这些N及P信道器件的额定电压为70V，设有SOT223和DPAK封装，能在平面电视、5.1环回立体声系统等功率更高的音频应用中实现安全可靠的操作。各款器件皆可适配采用互补性或全N信道MOSFET配置的单端及桥接式负载输出级。
据介绍，ZXM N/P 7系列MOSFET具有更高的漏源电压，相比于60V零件，能为设计人员提供额外空间，适应电源与门振铃的大幅变化。器件的导通电阻甚低，在10V电压下N、P信道器件的导通电阻一般分别只有130mΩ和160mΩ，因此可以经常保持低损耗，达到高效率操作和理想的散热效果。
该系列MOSFET把低导通电阻RDS(on)与快速切换及低闸电荷特性相结合，有助优化输出级效率，在设计完备的电路中效率可达90%以上。这些N信道和P信道器件，在10V操作环境中的关断时间和闸漏极电荷分别为17ns/1.8nC及35ns/3.6nC。
此外，新型MOSFET能妥善处理高漏极电流，在单独的场效应管操作中体现最大功率。由于它们对闸驱动的要求较低，因此可在需要更高负载功率的应用中，把场效应管并行设置。N信道器件采用SOT223和DPAK封装时的最大漏极电流分别为3.8和6.1安培，P信道则分别为3.7和5.7安培。 |
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