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飞兆半导体公司开发出新的低导通阻抗600V SuperFET™ MOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK (TO-252) 器件需求而设计。飞兆半导体DPAK封装的 SuperFET器件的导通阻抗仅为传统Planar型平坦化MOSFET的三分之一 (0.6 ~ 1.2 Ohm)，能将满足高频照明系统设计的系统效率需求且将开关和传导损耗减至最小，并满足这些快速转换的照明设计的系统效率要求。这些器件还能可以承受镇流器在极高频率下可靠地工作所需的快高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 转换开关瞬态效响应。，能在高频镇流器中可靠的工作。
飞兆半导体功能功率部副总裁Taehoon Kim表示：“DPAK封装器件是我们的SuperFET 产品系列的最新成员，专为满足照明系统制造商对提高能源效率和减少占位空间的要求而设计。利用我们专有的SuperFET技术，可以获得极低的导通阻抗以减小MOSFET芯片尺寸，并实现600V/0.6 Ohm的 DPAK封装产品。相比之下，通常用于照明应用的600V/0.6 Ohm平坦化MOSFET器件则采用较大的TO-220或 D2PAK (TO-263) 封装。飞兆半导体的DPAK SuperFET技术为我们的客户提供了采用更紧凑封装的低导通阻抗器件，从而满足了市场对更纤小化电子镇流器不断增长的需求。”
SuperFET MOSFET采用无铅DPAK封装，能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
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