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日本东芝通过在LED表面加纳米级突起物来提高其出光率。其步骤如下：
在LED表面涂敷一层液体玻璃，加热直至玻璃硬化。再在玻璃表面上覆盖一层聚合物（聚苯乙烯与聚甲基丙烯酸甲酯加聚所得），并将其加热到200摄氏度左右，使其中的聚苯乙烯形成球体，再使用等离子刻蚀去掉聚甲基丙烯酸甲酯,这样表面上就只留下球状聚苯乙烯。将这些聚苯乙烯球遮住，再使用离子蚀刻技术去掉未经遮盖的玻璃和半导体衬底，最后形成了拥有450-500nm 高、彼此相隔150-200nm突起物的LED表面。
东芝称，此基于分子自组织的工艺较光刻处理便宜，并已在红光LED上进行了试用。东芝相信这项技术对提高白光LED的亮度也同样有效。 |
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