您的位置:首页>>管理中心>>行业资讯>>新闻资讯正文
 
安森美推出十一款新型低饱和电压双极结晶体管(图)
——新产品采用SOT-23、SOT-563、 WDFN和ChipFET 封装,扩展标准元件系列
新闻ID号:  8648 无标题图片
资讯类型:  新品速递
所属类别:  模块电源; 元器件
关 键 字:  安森美/双极结晶体管/BJT
内容描述:  ~
发布时间:  2006/10/30 16:38:59
更新时间:  2006/10/30 16:41:32
审核情况:  已审核开通[2006/10/30 16:38:59]
浏览次数:  共 2409 人/次
新闻来源:  ~
链    接:  ~
责任编辑:  NewsSource
发 布 者:  电源在线
图片文件
原文件名:~
保存文件:2006103016411062872.jpg
路径文件:/uploadfile/newspic/2006103016411062872.jpg
管理操作:  修改  设置为未审核    发布新闻资讯
内    容:
  2006年10月30日,全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体宣布,进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管(BJT)产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。这些备有多种封装选择的新器件采用先进硅技术,与传统BJT或者平板MOSFET相比,其电源效率更佳,电池寿命更长。这些新器件是各种便携式应用的理想选择。

  安森美半导体分立产品部总经理Mamoon Rashid说:“安森美半导体将持续拓展便携式产品系列,从而使设计更灵活,并实现最佳的节能。我们的BJT在同类产品中脱颖而出,在业内是电源功耗最少且热性能最佳。我们已将该系列扩展到20个以上的产品,在目前市场上高性能BJT方面为设计工程师提供最多的选择。

  新型低Vce(sat)表面贴装器件是特别针对低电压,高速转换应用设计而成,其中电源效率控制至关重要。其特征为超低Vce(sat)—1安培下45毫伏(mV) – 和高电流增益。它们具有>8,000伏(V)的出色静电放电 (ESD)耐受性,可以在发生意外浪涌和损害的情况下进行自我保护。其电性能优越和温度系数低,提高了电源效率,并最终提高了电池电力保持能力。

  SOT-23是业内最受欢迎的封装之一,且价格最低。SOT-563是最小的新型BJT封装(1.6 mm x 1.6 mm x 1.0 mm)。 两种WDFN封装为2.0 mm x 2.0 mm,并且高度低,为0.7 mm,是目前市场上便携式应用中的热效率最好的。3.0 mm x 2.0 mm x 1.0 mm的ChipFET的整体性能最佳。

  这些器件理想应用于电源管理、电池充电、低压降稳压、振动马达、LED背光、磁盘驱动控制、照相机闪光灯以及低降压/升压转换器。


封装及定价
  完整的低Vce(sat) BJT系列备有多种行业领先的封装,包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74和TSOP-6。每10,000片的批量单价由0.18到0.40美元不等。