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安森美半导体(ON Semiconductor)宣布，进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管(BJT)产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。这些备有多种封装选择的新器件采用先进硅技术，与传统BJT或者平板MOSFET相比，其电源效率更佳，电池寿命更长。这些新器件是各种便携式应用的选择。
新型低Vce(sat)表面贴装器件是特别针对低电压，高速转换应用设计而成，其中电源效率控制至关重要。其特征为超低Vce(sat)——1安培下45毫伏(mV)——和高电流增益。它们具有>8,000伏(V)的出色静电放电(ESD)耐受性，可以在发生意外浪涌和损害的情况下进行自我保护。其电性能优越和温度系数低，提高了电源效率，并最终提高了电池电力保持能力。
SOT-23是业内最受欢迎的封装之一，且价格最低。SOT-563是最小的新型BJT封装(1.6mm×1.6mm×1.0mm)。 两种WDFN封装为2.0mm×2.0mm，并且高度低，为0.7mm，是目前市场上便携式应用中的热效率最好的。3.0mm×2.0mm×1.0mm的ChipFET的整体性能最佳。
这些器件理想应用于电源管理、电池充电、低压降稳压、振动马达、LED背光、磁盘驱动控制、照相机闪光灯以及低降压/升压转换器。
封装及定价
完整的低Vce(sat) BJT系列备有多种行业领先的封装，包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74和TSOP-6。每10,000片的批量单价由0.18到0.40美元不等。 |
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