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2006年11月14日，日本LED芯片制造商日亚（Nichia）采用MOCVD法制备出光效超越Cree（20 mA 下131 lm/W）的白光LED芯片。其中，较小尺寸（240 µm x 420 µm）芯片20mA下的光效为138 lm/W ，色温、电光效率和正向电压（20 mA）分别为5450K、41.7%和3.11 V；较大尺寸（1 mm x1 mm）芯片350 mA下的光效为92 lm/W，尽管大尺寸芯片的色温及效率明显低于小尺寸芯片，但在350 mA 和2A下，其光通量依然可达106 lm和402 lm，与30W白炽灯的总光通量相当。
两种芯片均采用ITO透明材料做为p型电极，通过InGaN/GaN LED激发黄色YAG 荧光粉生成白光，其光效的提高主要取决于外量子效率的提高及使用具有六边形突起的蓝宝石衬底（可散射更多有源层发射光）。
日亚通过脉冲工作模式 （200Hz 的重复周期，占空比为1%）获得这一成果，并在氮化物国际研讨会上（东京）进行了展示。 |
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