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| 新闻ID号： |
8987 |
无标题图片 |
| 资讯类型： |
新品速递 |
| 所属类别： |
元器件 |
| 关 键 字： |
意法半导体/电阻/功率MOSFET/STD11NM60N |
| 内容描述： |
～ |
| 发布时间： |
2006/12/11 9:22:57 |
| 更新时间： |
2006/12/11 9:23:59 |
| 审核情况： |
已审核开通[2006/12/11 9:22:57] |
| 浏览次数： |
共 1752 人/次 |
| 新闻来源： |
国际电子商情 |
| 链 接： |
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| 责任编辑： |
Sepnova |
| 发 布 者： |
电源在线 |
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| 内 容： |
意法半导体(ST)近日推出了新系列功率MOSFET的第一款产品STD11NM60N。 该产品通态电阻极低，动态特性和雪崩特性优越，为客户大幅降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。STD11NM60N特别适合照明应用产品，例如，大功率因数电子镇流器和高强度放电灯(HID)电子镇流器。
商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品STD11NM60N就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例，该产品采用ST自主开发的第二代MDmesh技术，最大通态电阻RDS(ON)仅为450 mΩ，该器件的电阻值比上一代MDmesh技术降低了55%，而且这一特性并没有牺牲对其温度特性的精确控制为代价。
除通过最小化电阻值来大幅度降低通态损耗外，这个600V产品的主要特性还包括一个节能的驱动电路，该电路使MOSFET能够在较低的VGS(th)(栅阈压)电压下驱动更高的电流。 事实上，虽然阈压范围(2V)没有变化，但是驱动该器件所需的VGS电压范围降低了，从而优化了驱动电路的性能，保证了器件具有优良的防止电路意外导通的噪声抑制性能。
STD11NM60N的主要特性包括一个优异的二极管dv/dt性能和出色的雪崩特性，使用户能够把工作温度保证在正常的工作温度范围内。因为传导损耗和功耗都很低，该器件还有助于客户降低散热器的尺寸，从而大大节省了电路板的空间。
STD11NM60N采用微型DPAK/IPAK和TO-220FP封装，现已量产，订购10,000件时单价为0.90美元。
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