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| 新闻ID号： |
9127 |
无标题图片 |
| 资讯类型： |
新品速递 |
| 所属类别： |
元器件 |
| 关 键 字： |
～ |
| 内容描述： |
～ |
| 发布时间： |
2006/12/25 15:10:43 |
| 更新时间： |
2006/12/26 8:55:21 |
| 审核情况： |
已审核开通[2006/12/25 15:10:43] |
| 浏览次数： |
共 1432 人/次 |
| 新闻来源： |
中国电源门户网 |
| 链 接： |
～ |
| 责任编辑： |
Sepnova |
| 发 布 者： |
电源在线 |
| 图片文件： |
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| 保存文件：20061225154788027.jpg |
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| 内 容： |
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) ， 推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF，适用于36V至75V通用电信输入及48V固定输入系统等多种运行环境的隔离式DC-DC转换器。新型DirectFET器件采用IR先进的DirectFET封装技术及新一代HEXFET功率MOSFET硅，额定电流可达35A，其散热表现更加卓越且效率更高，而占板面积则只相当于扁平型SO-8封装。
IR DirectFET系列的最新器件通过持续改善影响功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的关键参数，将传导、开关及反向恢复损耗降至最低。这些改进保证了器件在较高电流电平下工作，并且还保持了单个MOSFET的小巧体积。由于电路版的面积减少了50%以上，因此现在一个DirectFET MOSFET可以替代两个或三个SO-8封装器件。
该器件的典型10V RDS(on) 非常低，只有29mΩ。其低电感使器件更加适合大电流同步整流插座。而且，IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC，因此可作为隔离式或中间DC总线转换器的原边MOSFET。IRF6643TRPbF采用中级尺寸 (MZ) DirectFET封装。
IR的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优势，并已获得专利保护。其金属罐构造可提供双面冷却功能，将用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力有效增加一倍。此外，DirectFET封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。 |
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