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| 新闻ID号： |
9749 |
无标题图片 |
| 资讯类型： |
新品速递 |
| 所属类别： |
元器件 |
| 关 键 字： |
安森美/功率MOSFET/NTK3134N/NTK3139P |
| 内容描述： |
～ |
| 发布时间： |
2007/2/14 14:05:06 |
| 更新时间： |
2007/2/14 14:07:50 |
| 审核情况： |
已审核开通[2007/2/14 14:05:06] |
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| 新闻来源： |
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| 责任编辑： |
news |
| 发 布 者： |
电源在线 |
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| 内 容： |
安森美半导体为空间受限的便携式电子应用推出新SOT-723封装功率MOSFET,新款1.2 mm x 1.2 mm大小的NTK313xx系列提供类同现有便携式电子应用中的SC-89封装MOSFET的性能表现，但带来44%更小占位空间和38%更低高度
安森美半导体（ON Semiconductor）日前推出采用小型SOT-723封装，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代功率MOSFET，这些新低临界值功率MOSFET采用安森美半导体领先业内的Trench技术来取得能够和SC-89或SC-75等大上许多封装MOSFET器件匹敌的电气和功率性能表现。
NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N通道MOSFET，NTK3139P则是-20 V, -780 mA的P通道MOSFET，两款器件在高于200 mA工作电流下的低导通电阻RDS(on)以及1.5 V的低门极电压让它们可以通过电源管理ASIC或其他控制器直接控制。
NTK313xx器件相当适合负载或电源转换应用和小信号接口切换，内置静电放电(ESD)保护，这些器件把特殊处理和封装工序需求减到最低。SOT-723封装的1.2 mm x 1.2 mm占位面积比起提供相似性能，采用SC-89或SC-75封装的MOSFET节省了44%的电路板空间，拥有0.5 mm的低垂直间隙，这些新SOT-723封装MOSFET能满足新一代超薄手持便携式设备的需求。
目前两款器件都已批量生产并供货，每10,000片的预算批量单价为0.13美元。 |
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