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| 新闻ID号： |
9709 |
无标题图片 |
| 资讯类型： |
新品速递 |
| 所属类别： |
元器件 |
| 关 键 字： |
ZXMN2B03E6/ZXMN2B14FH/ZXMN2B01F/MOSFET/Zetex |
| 内容描述： |
～ |
| 发布时间： |
2007/2/12 10:44:43 |
| 更新时间： |
2007/2/12 10:45:03 |
| 审核情况： |
已审核开通[2007/2/12 10:44:43] |
| 浏览次数： |
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| 新闻来源： |
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| 链 接： |
～ |
| 责任编辑： |
news |
| 发 布 者： |
电源在线 |
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| 内 容： |
Zetex Semiconductors推出3款针对可用驱动电压有限应用而设计的N信道强化型MOSFET。
这3款新器件分别为20V的ZXMN2B03E6(SOT236封装)、ZXMN2B14FH及ZXMN2B01F(两者均属SOT23封装)。它们可在1.8VGS下提供低损耗开关功能，因此能以两个1.2V电池或一个锂电池驱动。其闸驱动超低，可直接通过逻辑闸来驱动。
Zetex保证3款新MOSFET的导通电阻(RDS(ON))，在1.8VGS下分别低于75m、100m和200m，在4.5VGS下则低于40m、55m和100m，在低电压应用中大派用场，例如高端断线开关的电平位移、升压转换器电路的外部开关，以至低电压微控制器和马达、螺丝管等负载的缓冲等。
快迅开关是Zetex专有UMOS技术另一主要特点。例如ZXMN2B01F在VGS=4.5V和ID=1A情况下的上升和下降时间仅为3.6ns及10.5ns。
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