Zetex推出3款N信道强化型MOSFET 可在1.8VGS下提供低损耗开关功能(图)
2007-2-12 10:44:43 电源在线
Zetex Semiconductors推出3款针对可用驱动电压有限应用而设计的N信道强化型MOSFET。
这3款新器件分别为20V的ZXMN2B03E6(SOT236封装)、ZXMN2B14FH及ZXMN2B01F(两者均属SOT23封装)。它们可在1.8VGS下提供低损耗开关功能，因此能以两个1.2V电池或一个锂电池驱动。其闸驱动超低，可直接通过逻辑闸来驱动。
Zetex保证3款新MOSFET的导通电阻(RDS(ON))，在1.8VGS下分别低于75m、100m和200m，在4.5VGS下则低于40m、55m和100m，在低电压应用中大派用场，例如高端断线开关的电平位移、升压转换器电路的外部开关，以至低电压微控制器和马达、螺丝管等负载的缓冲等。
快迅开关是Zetex专有UMOS技术另一主要特点。例如ZXMN2B01F在VGS=4.5V和ID=1A情况下的上升和下降时间仅为3.6ns及10.5ns。
这3款新器件分别为20V的ZXMN2B03E6(SOT236封装)、ZXMN2B14FH及ZXMN2B01F(两者均属SOT23封装)。它们可在1.8VGS下提供低损耗开关功能，因此能以两个1.2V电池或一个锂电池驱动。其闸驱动超低，可直接通过逻辑闸来驱动。
Zetex保证3款新MOSFET的导通电阻(RDS(ON))，在1.8VGS下分别低于75m、100m和200m，在4.5VGS下则低于40m、55m和100m，在低电压应用中大派用场，例如高端断线开关的电平位移、升压转换器电路的外部开关，以至低电压微控制器和马达、螺丝管等负载的缓冲等。
快迅开关是Zetex专有UMOS技术另一主要特点。例如ZXMN2B01F在VGS=4.5V和ID=1A情况下的上升和下降时间仅为3.6ns及10.5ns。
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