三菱电机携众多新品强势亮相2008慕尼黑上海电子展

    三菱电机将携同最新推出的第四代DIP-IPM（双列直插型智能功率模块）、第五代智能功率模块L1系列IPM以及多种系列的第五代IGBT模块，在3月18至20日于上海新国际博览中心举行之2008慕尼黑上海电子展（展位5102）上，为不同领域的客户提供与其相应的应用解决方案。

    三菱电机常务执行董事、半导体事业本部总经理长山安治先生此次特别从日本赶来参加展会，他指出：“日前中国市场发展迅猛，作为全世界最大的电子市场，三菱电机十分重视在中国的发展。我们将致力引入领先的技术及适合不同领域的优秀解决方案，协助客户面对越来越激烈的市场竞争。”

    三菱电机作为业界的先驱，早在1997年就开发了用于白色家电和工业用电机的变频驱动的DIP-IPM。2004年以来，DIP-IPM模块的开发致力于小型化、低热阻化以及完全无铅化，并已开发出第四代DIP-IPM产品。如今，为提高DIP-IPM的性价比，增加了新开发的搭载RC-IGBT硅片的额定电流为3A的DIP-IPM，从而使第四代DIP-IPM系列产品更加丰富，为白色家电等变频基板的小型化做出贡献。

    三菱电机日前新推出第五代L1系列智能功率模块，其将硅片温度传感器设置在IGBT硅片正中央处，实现了更加精确迅速的硅片温度检测。该系列IPM采用全栅型CSTBTTM硅片技术，具有比L系列IPM更低的损耗以及更加优化的VCE与Eoff折衷曲线。L1系列智能功率模块主端子有针脚型和螺丝型两种形式，同样电流电压等级的L1系列IPM与L系列IPM的封装完全兼容。此外，L1系列IPM还首次开发了25A/1200V和50A/600V的小封装产品以满足客户节约成本的需求。

    三菱电机采用最新开发的载流子存储式沟槽型双极晶体管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，实现了第五代IGBT模块的产品化，其具有低损耗、低饱和压降、高功率循环和寿命长等优点。分别针对不同应用开发了A、 NF、 NFM、NFH和NX系列。

    三菱电机在展会期间，还设有现场滚动讲座讲解各技术方案及其应用。