超越锑化铟 采用碳可获得电子速度最快的芯片

    马里兰大学的研究人员称，碳晶体管会成为最快的晶体管，可以超越包括锑化铟在内的所有芯片材料。

    研究人员认为，如果为芯片选择了合适的衬底材料，纯石墨烯晶体管就可以在室温条件下获得最高的速度。

    在硅材料中，电子的迁移率大概是1,400 cm2/Vs，此外，目前已知的最高电子迁移率是在锑化铟材料中实现的，可达77,000 cm2/Vs。于此不同，马里兰大学的研究人员测量出石墨烯的晶格振动最为微弱，而像杂质和衬底选择这样的二级效应对迁移率的影响会比声子更大。

    下一步，研究人员将尝试广泛应用的碳化硅衬底，这种衬底可以预先制作到晶圆上。该团队还计划将石墨烯沉积到金刚石衬底的顶层。他们还将尝试空气间隙，当然，Fuhrer也指出这种结构的制作比目前商用器件要困难很多。