Microsemi推出新的高速 Power MOS8系列IGBT

    领先的、高性能模拟和混合信号集成电路和高可靠性半导体器件制造商Microsemi日前宣布，推出新的高速 Power MOS8(r) 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)系列，该系列器件产品采用穿通工艺技术，电压为600V和900V。非常适用于太阳能逆变器、高性能SMPS以及诸如电焊机、电池充电器和感应加热之类的工业设备。

其主要特性为：
* 穿通工艺技术
* 更加快速的开关工作
* 高效率－饱和电压低
* 电流拖尾短－使开关损耗最小化
* 导通压降VCE(ON)低

    新的 Power MOS8(r) IGBT系列的导通损耗低，其600V和900V器件的VCE(ON)－导通压降典型值分别是2.0V和2.5V，因此使整个电路的效率得到提高。由于开关损耗低，新系列的IGBT器件能够工作在高于100kHz的频率—已经非常接近功率MOSFET的工作频率，而且新系列IGBT的成本较低。

    Power MOS 8(r) IGBT系列能够提供单个封装的器件，也能够提供与DQ系列快速软恢复二极管封装在一起的组合器件。现在可提供样品。对于批量为1K的订货，单个分立器件的单价为$2.09~ $7.04，组合器件的单价为$3.01~ $9.44。有关产品的技术资料可在Microsemi的网站获得。