科达半导体拟建功率器件自有生产线和厂房

　  科达实业于2007年10月与美方合资成立科达半导体，注册资金为5000万元，中方出资，占据70%的股权，美方出技术，占据30%的股权。主要产品为IGBT、MOSFET和FRD等半导体器件。

　　 2008年6月13日，科达半导体以公司子公司科英电子名义申请的IGBT产业化项目列入国家高技术产业发展项目计划及国家资金补助计划，获得国家补助资金1500万元。

　　根据赛迪的估测，2004年全球功率半导体市场容量达到204亿美金，中国为707亿人民币，同时保持着20%的年增长率，预计到2010年中国市场将占世界50%以上的份额。其中IGBT2005年市场规模达到5个亿，年增长率保持在30%左右。行业的广阔前景和存在问题为科达半导体的发展提供了机遇。

    相比于国内同类厂商，科达半导体拥有的优势主要体现在技术上。首先由于有美方的强力技术支持，直接利用世界最先进的技术，能够生产出国内同类厂商无法生产的高端产品，如低压大电流的MOSFET产品。即使是国内厂商能够生产的产品，科达半导体的产品一次流片可以基本保证完成，二次流片仅仅作为验证和确认质量。同类产品科达半导体的晶片厚度远低于国内厂商，采用的产品生产线也领先于国内同类厂商。

　　 而相比飞兆（Freescale）、意法半导体（ST）和英飞凌(Infenion)等国外厂商，科达半导体的优势主要体现在成本上。

　　 自成立以来，科达半导体一直采取代工的模式生产产品，公司打算在今年9月开始投资8000万元建设部分自有生产线和厂房，进一步扩大产能。预计达产后可每年实现总产值16亿元，净利润1.2亿元。（电源在线 朱荣威）