英飞凌发布用于SiC二极管的新芯片焊接技术

    英飞凌科技公司（Infineon Technologies AG Group）在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议（ECSCRM）”上发布了SiC元件与芯片的新焊接技术（演讲序号：TuLN-2）。封装时，引线框架与芯片的焊接不使用普通焊锡，而使用“扩散焊（Diffusion Solder）”。与此前的焊锡焊接相比封装时有许多优点，而且还可提高产品的可靠性。采用该技术的600V耐压SiC肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）“预定于2008年10月起上市”。

    安装时的优点方面，安装后的芯片不易倾斜、几乎没有焊锡焊接时漏焊的情况等。芯片倾斜会影响引线键合。

    另外，扩散焊层还比普通焊锡层薄，肖特基二极管的焊接部分与引线框架的热阻可降低约40％。这样，焊接温度不易上升，可提高二极管的可靠性。最大值为48A的半波电流在10ms内流过时，使用普通焊锡焊接的温度可达近280℃左右，而使用扩散焊焊接时温度可降至160～170℃。不过，关于扩散焊层，除位于芯片下面外，“具体实现方法不便公布”。