下一代功率半导体SiC国际会议召开
2008-9-26 10:24:56 电源在线
作为继Si之后的新一代功率半导体，SiC是与GaN等一样备受瞩目的材料。有望成为实现电源系统高效率化和小型化的关键所在。关于SiC的全球最高级别国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议（ECSCRM）”于当地时间2008年9月7日在西班牙巴塞罗那召开。会议截止日期为08年9月11日。
ECSCRM上，除肖特基二极管（Schottky Barrier Diode）和MOSFET等利用SiC的元件（SiC元器件）外，还将发表决定SiC元件特性和价格的SiC底板、结晶成长技术以及分析技术等相关最新成果。除这些技术外，“还将发表利用SiC的石墨烯制作技术和面向生物技术的应用等近来备受瞩目的研究成果”（在国际筹划指导委员会就职的科学技术振兴机构（JST）JST京都科技创新馆（Innovation Plaza）馆长松波弘之）。
ECSCRM上，除肖特基二极管（Schottky Barrier Diode）和MOSFET等利用SiC的元件（SiC元器件）外，还将发表决定SiC元件特性和价格的SiC底板、结晶成长技术以及分析技术等相关最新成果。除这些技术外，“还将发表利用SiC的石墨烯制作技术和面向生物技术的应用等近来备受瞩目的研究成果”（在国际筹划指导委员会就职的科学技术振兴机构（JST）JST京都科技创新馆（Innovation Plaza）馆长松波弘之）。
声明：本信息内容的真实性未经电源在线证实，仅供参考。编辑：ronvy