罗姆展示可在200℃下稳定运行SiC元件IPM

　罗姆试制了可在200℃下稳定运行的SiC元件IPM。“对250℃下的运行状况也进行了确认”。IPM由SiC材质的MOSFET功率模块和栅极驱动电路构成。该公司在展示试制品的同时，还进行了把MOSFET接合温度控制在250℃左右时的马达驱动演示。不过，实际演示中没有演示IPM，而是分别进行了功率模块部分和栅极驱动电路的运行演示。此次展示的是罗姆与美国阿肯色大学（University of Arkansas）等的共同研发成果。

　　虽然SiC元件本身可在高温环境下运行，但SiC元件的芯片和绝缘底板、绝缘底板和散热器（Heat Spreader）接合部分、以及模块封装以及栅极驱动电路等均是妨碍高温运行的主要原因。因此，该公司开发出提高了耐热性的接合技术、以及封装和栅极驱动电路。改进了焊材和施工法。

　　接合采用无铅（Pb）技术。与普通的无铅焊接相比，“导电率和导热率约提高至原来的7倍”。此前的无铅焊接的熔解温度约为 220℃，而新开发的接合技术其熔解温度约为原来的4倍、高达480℃。工艺温度（回流温度）为350℃。此外，芯片封装材料也支持高温。

　　由于封装温度比MOSFET接合温度低50℃，因此，当MOSFET接合温度为250℃时，封装温度为200℃左右。此次是通过把填充物变更为以树脂材料为基础的材料等而提高了耐热性。“将来希望进一步提高耐热性”。

　　功率模块上部配备的栅极驱动电路可在200℃环境下运行。通过采用LTCC底板、以及把二极管由Si材质变更为SiC材质等都提高了耐热性。