东芝演示采用SiC二极管的逆变器模块

　　东芝试制出了采用SiC材料肖特基二极管（SBD）的逆变器模块,并使用该模块进行了驱动马达的演示。“此前曾展出过SiC元件，不过进行演示还是第一次”。

　　此次提高了由SiC材料制作的SBD的特性。耐压为1250V，输出电流密度为200A/cm2时的导通电压为1.22V。“在耐压为1200V级的SBD中，导通电压非常低。已投产的SiC材料的SBD，其导通电压在1.45～1.5V左右”，此次的导通电阻“大概为1mΩcm2左右”。另外，何时达到实用水平还未确定。