Diodes发布新型双MOSFET组合式器件

节省空间却无损性能

    日前，Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封装，包含一对互补100V增强式MOSFET，性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。

    Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“这个N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件，有助减省电路板空间及元件数目，同时简化栅极驱动电路设计。比方说，SO8充分发挥了节省空间的功能，其占位面积只有31 mm2，仅为两个SOT223 MOSFET的30%。”

    最新双器件封装内的N与P通道MOSFET，可在10V栅极电压 (VGS) 下实现极低的栅极电荷，典型导通电阻 (RDS(ON)) 分别为230mΩ 和235mΩ，确保开关及导通损耗保持在最低水平。功率耗散分别为2.4W及2.6W。

    Diodes Incorporated简介

    Diodes Incorporated为标普低市值600指数 (S&P SmallCap 600 Index) 公司，是一家在广阔的分散和模拟半导体市场上居全球领先地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商，服务市场主要面向电子消费 品、计算、通信、工业和汽车制造业。Diodes的产品主要包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、针对特定功能的阵列，放大器和比较器，霍尔效应传感器, 以及涵盖LED驱动器、直流-直流切换、调节器 、线性稳压器和电压参考在内的功率管理器件, 以及USB电源开关、负载开关 、电压监控程式及马达控制器等特殊功能器件。
 
    Diodes总部设在美国德州达拉斯市；在南加州设有销售、市场、工程及物流办事处；在达拉斯、圣荷塞、台北、英国和德国设有设计中心；在密苏里州坎萨斯城及英国曼彻斯特设有晶圆制造厂；在上海设有两家制造厂、在德国诺伊豪斯设有一所，另于中国成都设有合资工厂；在香港、台北及曼彻斯特设有工程、销售、仓库及物流办事处；并在世界各地设有销售与支持办事处。

    更多详尽信息，包括美国证监会档案，请浏览公司网站：http//www.diodes.com。■