中国南车拟大力开发半导体IGBT项目 投资逾20亿元

    近日，中国南车公司表示，公司下属的株洲所举办的“高压高功率密度IGBT芯片及其模块研究开发”项目鉴定会上，研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500V高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相，该项目代表我国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平。

    中国南车株洲所IGBT事业部总经理刘国友透露，中国南车株洲所在IGBT项目上总投资超过20亿元，目前该公司有近百位来自全球的顶尖专家从事IGBT器件芯片及模块技术的研发，在IBGT芯片设计、封装测试、可靠性试验、系统应用上攻克了30多项难题，掌握该器件的成套技术，并在IGBT的规模化、专业化生产上形成完整的工艺体系，产品在国内轨道交通、柔性直流输电以及矿冶领域得到批量应用，项目已申报专利20项，获得授权发明专利2项，实用新型专利2项。<