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Qorvo助力简化GaN PA偏置

2022/6/14 17:43:32   电源在线网
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  中国北京–2022年6月14日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布推出ACT41000-104-REF1,这是一款GaN功率放大器(PA)偏置参考设计,可加强Qorvo GaN PA的设计与测试。

  GaN器件是耗尽型FET,运行时需要施加负栅极电压。在使用GaN PA的系统中,需要以特定的顺序进行偏置:提高漏极偏置电压之前,必须施加负栅极电压,以保护器件免受损坏。

  Qorvo的ACT41000-104-REF1内置可配置性,可实现多种GaN PA偏置并自动校准系统。它集成了功率MOSFET和电流数模转换器,方便器件精准检测PA静态漏极电流。此设计采用电源管理,对GaN偏置流程进行简化。

  ACT41000可在4.5到40 V的输入电压下运行;在4 A电流下,可生成最高达24 V的稳定可调的输出电压,变化幅度为12.5 mV。ACT41000带有评估平台和GUI,可帮助客户调节输出漏极电压、静态和最大漏极电流、PA器件电流,以及电压保护、开关频率和其他功能,从而优化GaN PA性能。

  在用户接通系统电源后,将会自动执行此流程进行自动调试,防止因为老化或剧烈温度波动造成故障,因而可降低测试难度,提升自动化水平。ACT41000内置可配置性,可为不同市场(包括卫星通信、5G、雷达等)内的各种Qorvo GaN PA提供偏置。

  Qorvo可编程电源管理产品高级主管David Briggs表示:“Qorvo致力于为客户和供应商简化实际解决方案的设计和测试。这款全新产品集成了Qorvo功率产品与GaN产品组合,是我们产品组合扩展计划的一部分。”

  Qorvo是应用集成产品(如ACT41000)市场的领军企业。观看视频教程,了解ACT41000如何经过专门设计从而与Qorvo行业领先的GaN产品进行集成。

 

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