东芝推出面向更高效工业设备的第3代SiC MOSFET

　　东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。

　　

　　新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5]，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。

　　东芝将进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。

　　应用：

　　-开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）

　　-电动汽车充电站

　　-光伏变频器

　　-不间断电源（UPS）

　　特性：

　　-单位面积导通电阻低（RDS(ON)A）

　　-低漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）

　　-低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）VGS＝-5V

　　主要规格：

　　（除非另有说明，Ta＝25℃）

　　注：

　　[1]通过采用为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构，东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻（RDS(ON)A），同时降低JFET区域反馈电容的器件架构。

　　[2]MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。

　　[3]当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。

　　[4]当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。

　　[5]新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比较。东芝调研。