日CEATEC新展出薄膜高分子积层电容器PMLCAP
2006-10-20 15:33:51 电源在线
日本的红宝石（Rubycon）在于幕张MESSE开幕的“CEATEC JAPAN 2006”上，展出了薄膜高分子层积电容器“PMLCAP”。与薄膜电容器相比，在相同电容量的情况下可将高分子介电体做得更薄，因此单位体积的静电容量更大。电容量相同情况下，体积能够降至1/10以下。主要用于DC-DC转换器电路及音频电路。此产品不仅能够替代薄膜电容器，而且还可在原来不能使用薄膜电容器的部位使用。甚至将替代积层陶瓷电容器。已从2006年秋季开始量产。
此次的产品采用热硬化树脂——压克力树脂作为介电体。通过多次真空蒸镀介电体液体使高分子积层膜硬化的方法来形成1μm以下的介电体层。由于通过蒸镀可形成薄且均匀的薄膜，因此可将介电体层制得更薄。比如，静电容量为10μF、额定电压为16V、封装面积为4.5mm×3.2mm的“4532尺寸”产品，其介电体层厚度仅为0.2～0.3μm。而薄膜电容器薄膜则是通过延展PET及PP（聚丙烯）而形成的，因此容易导致缺陷或厚度不均，只能将厚度控制在1μm以上。不过，此次的产品其介电体较薄，因此耐压性比薄膜电容器低。
此次通过采用压克力树脂提高了耐热性。当在温度范围上限125℃下使用时，此次的产品能在额定电压下使用。而薄膜电容器在125℃下使用时，有的需要将额定电压降低15%左右。
此次的产品采用热硬化树脂——压克力树脂作为介电体。通过多次真空蒸镀介电体液体使高分子积层膜硬化的方法来形成1μm以下的介电体层。由于通过蒸镀可形成薄且均匀的薄膜，因此可将介电体层制得更薄。比如，静电容量为10μF、额定电压为16V、封装面积为4.5mm×3.2mm的“4532尺寸”产品，其介电体层厚度仅为0.2～0.3μm。而薄膜电容器薄膜则是通过延展PET及PP（聚丙烯）而形成的，因此容易导致缺陷或厚度不均，只能将厚度控制在1μm以上。不过，此次的产品其介电体较薄，因此耐压性比薄膜电容器低。
此次通过采用压克力树脂提高了耐热性。当在温度范围上限125℃下使用时，此次的产品能在额定电压下使用。而薄膜电容器在125℃下使用时，有的需要将额定电压降低15%左右。
声明：本信息内容的真实性未经电源在线证实，仅供参考。 来源：日经BP
