飞兆新推出最佳FOM值和热阻的功率开关FDMC2610
2006-12-7 9:51:49 电源在线
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)最新推出功率开关FDMC2610，该产品为采用超紧凑型(3mm x 3mm)模塑无脚封装(MLP)的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件，最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关，可提高系统效率和节省线路板空间。
与市场上类似的200V MLP 3x3封装器件相比，飞兆半导体的200V器件FDMC2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nC对比 4nC)和最低的导通阻抗(200mΩ对比240mΩ)。这些特性使该器件的品质系数(FOM)降低了27%，并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200V器件具有同类封装器件中最佳(3C/W 比 25C/W)的热阻(Theta JC)，在严苛的环境中也能保证可靠的散热。
飞兆半导体的UltraFET器件除了能提供比市场上同类型封装MLP器件更出色的热性能和开关性能外，仅占用较DC/DC转换器设计常用的SO-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小MOSFET的占位面积及增强封装热容量，以便设计出更小型，更高功率密度的DC/DC转换器。
飞兆半导体还推出了一款同样采用MLP 3x3封装的150V P沟道平面型UltraFET器件，与这3种N沟道器件相辅相成。这个器件针对有源箝位拓朴中同时需要N沟道和P沟道MOSFET的应用而开发。为设计人员提供了完整的解决方案，这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
与市场上类似的200V MLP 3x3封装器件相比，飞兆半导体的200V器件FDMC2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nC对比 4nC)和最低的导通阻抗(200mΩ对比240mΩ)。这些特性使该器件的品质系数(FOM)降低了27%，并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200V器件具有同类封装器件中最佳(3C/W 比 25C/W)的热阻(Theta JC)，在严苛的环境中也能保证可靠的散热。
飞兆半导体的UltraFET器件除了能提供比市场上同类型封装MLP器件更出色的热性能和开关性能外，仅占用较DC/DC转换器设计常用的SO-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小MOSFET的占位面积及增强封装热容量，以便设计出更小型，更高功率密度的DC/DC转换器。
飞兆半导体还推出了一款同样采用MLP 3x3封装的150V P沟道平面型UltraFET器件，与这3种N沟道器件相辅相成。这个器件针对有源箝位拓朴中同时需要N沟道和P沟道MOSFET的应用而开发。为设计人员提供了完整的解决方案，这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
声明：本信息内容的真实性未经电源在线证实，仅供参考。编辑：Sepnova
