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三菱电机汽车用J系列EV-IPM和J系列EV T-PM

新闻ID号：

27281

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资讯类型：

企业动态

所属类别：

功率器件；电子元件

关键字：

功率半导体模块/三菱电机/温度传感器

内容描述：

三菱电机携同汽车用J系列EV-IPM和J系列EV T-PM，在6月19至21日于上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展 2012（展位号：301）中亮相，向参观者介绍高性能、超可靠、低损耗的汽车用功率半导体模块

发布时间：

2012/5/23 10:52:57

更新时间：

2012/5/23 10:52:57

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内容：

三菱电机携同汽车用J系列EV-IPM和J系列EV T-PM，在6月19至21日于上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展 2012（展位号：301）中亮相，向参观者介绍高性能、超可靠、低损耗的汽车用功率半导体模块。

受到近几年环保意识提高的影响，混合动力汽车和电动汽车等市场不断扩大。由于对汽车有着很高的安全性要求，因而对用于汽车马达驱动的功率半导体模块，也要求其具有超出普通工业用途的可靠性。

三菱电机引领业界之先，于2004年采用以硬质树脂封装功率半导体硅片的压注模封装技术，生产出可靠性高且无铅化的汽车用功率半导体模块。这次，三菱电机又推出新的汽车用功率半导体模块J系列EV-IPM和J系列EV T-PM。

J系列EV-IPM采用第5代LPT- CSTBTTM硅片技术，模块内硅片上集成电流和温度传感器，杂散电感低。模块采用自1997年以来已成功量产的先进制造工艺，实施从模块材料到零件与生产履历的硅片级可追溯性管理，满足ELV车辆报废指令。目前开发的J系列EV-IPM产品的电流电压等级分别有：300A/600V、600A/600V、150A/1200V和300A/1200V。

J系列EV-IPM 小型封装和大型封装

J系列EV T-PM采用第5代~第6代LPT- CSTBTTM硅片技术，模块内硅片上集成电流和温度传感器。模块内部构造不同于以往用铝电线连接功率半导体硅片和主端子，而是采用DLB构造，成功将主端子延长，使之直接与功率半导体硅片焊接。利用DLB构造提高了模块的可靠性。

J系列EV T-PM

此外，模块采用2合1压注膜封装技术，使得模块内的配线电阻和电感得到减小，从而降低了模块的损耗。模块实施从模块材料到零件与生产履历的硅片级可追溯性管理。满足ELV车辆报废指令，确保用于汽车的质量与产品寿命。目前开发的J系列EV T-PM产品的电流电压等级分别有：300A/600V，600A/600V和300A/1200V。<