日前，全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司（简称IR）推出车用平面MOSFET系列，适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。
新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术，包括 55V 和 150V 标准栅极驱动 N 沟道 MOSFET，以及适用于高侧开关应用的 -55 V 和 -100 V 标准栅极驱动 P 沟道 MOSFET ，这些技术不需要额外的栅极驱动电荷泵。有关的30V、55V 和 100V 逻辑电平栅极驱动 N 沟道 MOSFET 简化了栅极驱动要求，能够减少电路板空间和零件数量。所有这些新器件都针对低导通电阻 (Rds(on)) 进行了优化。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“通过使用 IR 经过验证的平面技术，这些新型车用器件平台在线性模式以及需要用坚固的 MOSFET 来驱动高感性负载的应用中表现出色。此外，这些器件非常适合采用较高电路板净电压的汽车，如卡车等。”
新器件符合 AEC-Q101 标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过 1,000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR的新款 AU 材料在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化只有 12%，体现了这款材料的高强度和耐用性。
产品规格：标准栅极驱动
|
器件编号 |
封装 |
栅极 驱动 |
V(BR)DSS (V) |
10VGS时的最大导通电阻 (mΩ) |
TC 为 25°C时的ID 最大值 (A) |
10VGS 时的QG 典型值 (nC) |
|
N 沟道器件 | ||||||
|
AUIRF3305 |
TO-220 |
标准 |
55 |
8.0 |
140 |
100 |
|
AUIRFR4105 |
DPak |
标准 |
55 |
24.5 |
30 |
13 |
|
AUIRFZ34N |
TO-220 |
标准 |
55 |
40.0 |
26 |
23 |
|
AUIRF3415 |
TO-220 |
标准 |
150 |
42 |
43 |
133 |
|
P 沟道器件 | ||||||
|
AUIRF4905 |
TO-220 |
标准 |
-55 |
20.0 |
-74 |
120 |
|
AUIRFR5305 |
DPak |
标准 |
-55 |
65.0 |
-28 |
42 |
|
AUIRF9Z34N |
TO-220 |
标准 |
-55 |
100 |
-17 |
23 |
|
AUIRFR5505 |
DPak |
标准 |
-55 |
110 |
-18 |
21 |
|
AUIRFR9024N |
DPak |
标准 |
-55 |
175 |
-11 |
13 |
|
AUIRF9540N |
TO-220 |
标准 |
-100 |
117 |
-23 |
65 |
|
AUIRFR5410 |
DPak |
标准 |
-100 |
205 |
-13 |
39 |
产品规格：逻辑电平栅极驱动
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器件编号 |
封装 |
栅极 驱动 |
V(BR)DSS (V) |
4.5VGS时的最大 导通电阻(mΩ) |
TC 为 25°C时的ID 最大值 (A) |
4.5VGS 时的QG 典型值(nC) |
|
AUIRLR2703 |
DPak |
逻辑 |
30 |
65.0 |
22 |
15 |
|
AUIRL3705N |
TO-220 |
逻辑 |
55 |
18.0 |
89 |
98 |
|
AUIRLR2905 |
DPak |
逻辑 |
55 |
22.5 |
60 |
23 |
|
AUIRLR024N |
DPak |
逻辑 |
55 |
110 |
17 |
15 |
|
AUIRLR120N |
DPak |
逻辑 |
100 |
265 |
11 |
20 |
http:www.cps800.com/news/2011-2/2011214143529.html
0755-82905460
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